Os novos cartões SD/microSD de baixa latência e alta resistência da ATP fabricados para câmeras automotivas e DVRs proporcionam mais de 109 mil horas de gravação contínua de vídeo
Summary
Os novos cartões SD/microSD de baixa latência e alta resistência da ATP fabricados para câmeras automotivas e DVRs proporcionam mais de 109 mil horas de gravação contínua de vídeo Em TLC nativo, a série S650 supera outros cartões com resistência 1,6X maior; Em modo pSLC, a série S750 alcança 2X mais resistência TAIPEI, Taiwan, July […]
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Os novos cartões SD/microSD de baixa latência e alta resistência da ATP fabricados para câmeras automotivas e DVRs proporcionam mais de 109 mil horas de gravação contínua de vídeo
Em TLC nativo, a série S650 supera outros cartões com resistência 1,6X maior;
Em modo pSLC, a série S750 alcança 2X mais resistência
TAIPEI, Taiwan, July 13, 2022 (GLOBE NEWSWIRE) — A ATP Electronics, líder global em soluções de memória e armazenamento especializado, apresenta os novos cartões de memória SD e microSD das séries S750/S650 com célula de nível triplo (TLC) 3D fabricados para o rigor das gravações de vídeo ininterruptas. Eles atendem aos requisitos de alta resistência, baixa latência e durabilidade para o armazenamento de dados das câmeras automotivas e gravadores de vídeo digitais (DVRs), bem como de sistemas de vigilância, veículos autônomos e outras aplicações de gravação intensa.
Alta resistência, com mais de 109 mil horas1 de gravação em TLC nativo
As evidências em vídeo podem se revelar essenciais em diversos contextos; portanto, é muito importante que cartões SD/microSD gravem ininterruptamente sem comprometer a qualidade e a integridade da imagem. A série S650 pode gravar vídeos em Full HD continuamente até 109.401 horas — muito além dos cartões similares comercializados como sendo de “alta resistência.” A série S650 é baseada em 5 mil ciclos de programa/apagamento (P/E), o que significa 1,6X mais resistência que os cartões de memória comuns com 3 mil ciclos de P/E. A série S750, configurada como pseudocélula de nível único (pSLC) é baseada em 60 mil ciclos de P/E, enquanto os cartões de memória pSLC típicos possuem uma classificação de cerca de 20 mil a 30 mil ciclos de P/E.
O gráfico2 a seguir exibe o resultado da simulação de resistência do microSD ATP S650 de 128 GB em comparação com cartões de alta resistência de outras marcas com a mesma capacidade no modo Full HD.
Comparação quanto ao máximo de horas de gravação de alta resistência: ATP S650 vs. outros cartões de alta resistência
Máximo de horas de gravação de alta resistência: ATP S650 vs. outros cartões de alta resistência
——————
Observações:
1 Testado usando um cartão ATP S650 TLC de 128 GB a 13 Mbps (menor taxa de bits de gravação em HD) no cenário de melhor caso/ideal, sem nenhum outro fator de influência.
2 Informações obtidas pela ATP a partir de dados disponíveis publicamente.
- Para gravar novos dados, os dados mais antigos serão substituídos quando o cartão estiver cheio.
- 1 Mbps = 1.000.000 bps
Baixa latência: Pronto para gravar em menos de 1 segundo, grava 50% mais rápido
Após serem ligados, os gravadores podem demorar alguns segundos para ficarem prontos a gravação. O tempo entre o primeiro comando de leitura e o primeiro comando de gravação do host é o “tempo de resposta”. Os cartões ATP das séries S650 e S750 têm um tempo de resposta de menos de 1 segundo, enquanto os cartões normais podem levar de 7 a 12 segundos, de acordo com testes reais em um DVR em temperatura ambiente.
Os cartões ATP S650 levam menos de 0,1 segundo para gravar 16 MB de dados sequenciais, economizando 50% de tempo de gravação, em comparação com cartões avaliados pelo consumidor e permitindo backup de alta velocidade sem perda de dados.
Recursos próprios de design de hardware/firmware proporcionam confiabilidade precisa
Como um autêntico fabricante com recursos próprios de hardware/firmware, a ATP é capaz de se ajustar a uma variedade de usos para atender a requisitos e condições específicas das aplicações dos clientes. Com base nas aplicações dos clientes, a ATP faz o seu melhor para atender aos requisitos por meio de um design exclusivo de firmware e hardware.
- Calibração de leitura automática (ARC). Ao longo do tempo e com o uso constante, as células de memória flash NAND se degradam, causando deslocamentos de tensão que aumentam as taxas de erros de bits (BER). Quando a função normal de nova tentativa de leitura não for suficiente para recuperar os erros, uma “Calibração de leitura automática” (ARC) mais precisa é aplicada para garantir a integridade dos dados em temperaturas extremas ou com células NAND degradadas.
- Metodologia da ATP para a análise de cartão avançada. Os cartões de memória da ATP possuem certificação IP67/IP57 e são fabricados utilizando um processo de molde/wafer de System-in-Package (SiP), tornando difícil a análise de componentes em comparação com o processo SMT (tecnologia de montagem superficial). O substrato com design exclusivo da ATP e a ferramenta de depuração tornam essa missão “possível”.
- Design de hardware desenvolvido pela ATP — O substrato com pino de teste reservado está disponível para futuras análises de componentes.
- Remoção de máscara de solda por laser — Método preciso e eficiente para remover a máscara de solda de forma a alcançar os pinos de teste reservados no substrato.
- Ferramenta própria de depuração personalizada da ATP — É conectada ao pino de teste reservado do hardware e, em seguida, vinculada ao sistema de análise de software.
Para obter mais informações sobre a metodologia avançada de análise de cartões da ATP, acesse: https://www.youtube.com/watch?
Especificações
SD | microSD | |||||||
Linha de produtos | Premium | Superior | Premium | Superior | ||||
S750Pi | S750Sc | S650Si | S650Sc | S750Pi | S750Sc | S650Si | S650Sc | |
Interface | UHS-I | UHS-I | UHS-I | UHS-I | UHS-I | UHS-I | UHS-I | UHS-I |
Tipo de flash | 3D pSLC | 3D pSLC | 3D TLC | 3D TLC | 3D pSLC | 3D pSLC | 3D TLC | 3D TLC |
Fator de forma | Cartão SD | Cartão microSD | ||||||
Temperatura de operação | –40°C a 85°C | –25°C a 85°C | –40°C a 85°C | –25°C a 85°C | –40°C a 85°C | –25°C a 85°C | –40°C a 85°C | –25°C a 85°C |
Opções de proteção contra perda de energia | Com base em firmware | Com base em firmware | ||||||
Capacidade | 8 GB a 32 GB | 8 GB a 32 GB | 32 GB a 128 GB | 32 GB a 128 GB | 8 GB a 64 GB | 8 GB a 64 GB | 32 GB a 256 GB | 32 GB a 256 GB |
Desempenho | ||||||||
Leitura sequencial (MB/s) até | 99 | 99 | 96 | 96 | 99 | 99 | 96 | 96 |
Gravação sequencial (MB/s) até | 78 | 78 | 62 | 62 | 82 | 82 | 65 | 65 |
Resistência (TBW)1 até | 1.920 | 1.920 | 640 | 640 | 3.840 | 3.840 | 1.280 | 1.280 |
Confiabilidade MTBF a 25°C |
>2.000.000 horas | >2.000.000 horas | >2.000.000 horas | >2.000.000 horas | >2.000.000 horas | >2.000.000 horas | >2.000.000 horas | >2.000.000 horas |
Confiabilidade Número de inserções |
20.000 (espec. SDA mínima de 10.000) | 20.000 (espec. SDA mínima de 10.000) | ||||||
Outros | ||||||||
Dimensões: C x L x A (mm) | 32,0 x 24,0 x 2,1 | 32,0 x 24,0 x 2,1 | 32,0 x 24,0 x 2,1 | 32,0 x 24,0 x 2,1 | 15,0 x 11,0 x 1,0 | 15,0 x 11,0 x 1,0 | 15,0 x 11,0 x 1,0 | 15,0 x 11,0 x 1,0 |
Certificações | CE, FCC, UKCA, RoHS | CE, FCC, UKCA, RoHS | CE, FCC, UKCA, RoHS | CE, FCC, UKCA, RoHS | CE, FCC, UKCA, RoHS | CE, FCC, UKCA, RoHS | CE, FCC, UKCA, RoHS | CE, FCC, UKCA, RoHS |
Garantia | 5 anos | 2 anos | 3 anos | 3 anos | 5 anos | 2 anos | 3 anos | 3 anos |
1 Sob o maior valor de gravação sequencial. Pode variar de acordo com a densidade, configurações e aplicações. |
Para clientes que precisam de recursos ou tecnologias específicas para aplicações, a ATP oferece serviços de personalização com valor agregado que englobam firmware e hardware, bem como embalagem e aparência (etiquetas, impressão e marcação).
Para obter mais informações sobre os cartões SD/microSD das séries S750/S650, acesse:
https://www.atpinc.com/
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Contato de mídia sobre o comunicado à imprensa: Kelly Lin (Kellylin@tw.atpinc.com)
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Sobre a ATP
A ATP Electronics (“ATP”) conta com 30 anos de excelência em fabricação como a principal fornecedora de produtos de memória de armazenamento e flash NAND para aplicações integradas/industriais/
As fotos que acompanham este anúncio estão disponíveis em:
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